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宝安区电容器组

更新时间:2025-08-24      点击次数:10

    Page103由于ClassII和III电容的容值极高可以做到几百uF,但由于高介电常数介质,大都是铁电性介质(Ferroelectric),温度稳定性差。此外,铁电性介质,在直流偏置电压下介电常数会下降。在谈谈电感一文中,介绍了铁磁性介质存在磁滞现象,当内部磁场超过一定值时,会发生磁饱和现象,导致磁导率下降;同样的,对于铁电性介质存在电滞现象,当内部电场超过一定值时,会发生电饱和现象,导致介电常数下降。当ClassII和III电容的直流偏置电压超过一定值时,电容会明显下降,如下图所示:图片来源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV:制作工艺和通常的陶瓷材料不一样,内部陶瓷颗粒都是外面一层很薄的氧化层,而中心是导体。这种类型的电容容量很大,但击穿电压很小。由于此类电容的性能不稳定,损耗高,现在已经基本被淘汰了。引申阅读:·ECA-EIA-198-1-F-2002·MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors·HysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials电容类型总结表原图出自维基百科还有一类超级电容,就是容量特别大,可以替代电池作为供电设备,也可以和电池配合使用。超级电容充电速度快,可以完全地充放电,而且可以充到任何想要的电压。风华高频电容原装现货。宝安区电容器组

    在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。损耗角正切:在规定频率的正弦电压下,电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。在实际应用中,电容器并不是一个纯电容,其内部还有等效电阻。C为电容器的实际电容量,Rs是电容器的串联等效电阻,Rp是介质的绝缘电阻,Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说,要求Rs愈小愈好,也就是说要求损耗功率小,其与电容的功率的夹角δ要小。这个关系用下式来表达:tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此,在应用当中应注意选择这个参数,避免自身发热过大,以减少设备的失效性。频率特性随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。电容器的识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如9μF/450V22μF/50V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或用数字表示。字母表示法:1m=1000μF4P7=1n=1000PF数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇,第三位数宇表示有效数字后面零的个数。南山区车规 电容哪里买华南国巨电容代理商公司。

    有电感、电容等所有系列的产品及相关参数曲线,非常全,不得不再次推荐一下:·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI电容ClassI电容应用极多的是C0G电容,性能稳定,适用于谐振、匹配、滤波等高频电路。C0G电容的容值十分稳定,基本不随外界条件(频率除外)变化,下图是Murata一款1000pF电容的直流、交流及温度特性。图片来自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要关注C0G电容的频率特性。下图是Murata的3款相同封装(0402inch)相同容差(5%)的10pF电容的频率特性对比。图片来自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列,GJM是高Q值系列、GQM是高频系列,可见GQM系列高频性能更好,自谐振频率和Q值更高,一些高频性能要求很高的场合,可以选用容差1%的产品。而GRM系列比较便宜,更加通用,例如EMC滤波。ClassII和ClassIII电容ClassII和ClassIII电容都是高介电常数介质,性能不稳定,容值变化范围大,通常用作电源去耦或者信号旁路。以Murata一款22uF、、X5R电容为例,相关特性曲线:图片来自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII电容,容值随温度、DC偏置以及AC偏置变化范围较大。特别是用作电源去耦时。

    当然电容价格也会高一些。电容的用途非常多,主要有如下几种:隔直流:作用是阻止直流通过而让交流通过。旁路(去耦):为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。耦合:作为两个电路之间的连接,允许交流信号通过并传输到下一级电路滤波:这个对DIY而言很重要,显卡上的电容基本都是这个作用。温度补偿:针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响,而进行补偿,改善电路的稳定性。计时:电容器与电阻器配合使用,确定电路的时间常数。调谐:对与频率相关的电路进行系统调谐,比如手机、收音机、电视机。整流:在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。储能:储存电能,用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯,加热设备等等。(如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准,一个电容储存的电能可以供一个手机使用。华科电容一级代理商。

    其基本结构如下图所示:铝电解电容的制作工艺大致有如下几步:·首先,铝箔会通过电蚀刻(Etching)的方式,形成一个非常粗糙的表面,这样增大了电极的表面积,可以增大电容量;·再通过化学方法将阳极氧化,形成一个氧化层,作为介质;·然后,在阳极铝箔和阴极铝箔之间加一层电解纸作为隔离,压合绕制;·极后,加注电解液,电解纸会吸收电解液,封装成型。使用电解液的湿式铝电解电容应用极广;优点就是电容量大、额定电压高、便宜;缺点也很明显,就是寿命较短、温度特性不好、ESR和ESL较大。对于硬件开发来说,需要避免过设计,在满足性能要求的情况下,便宜就是极大的优势。下图是基美(Kemet)的铝电解电容产品,大致可以看出铝电解电容的特点。原图截图于KEMET网站铝电解电容也有使用二氧化锰、导电高分子聚合物等固态材料做电解质;聚合物铝电解电容的结构大致如下图所示:原图出自PolymerAluminumElectrolyticCapacitors-Murata聚合物铝电解电容的ESR较小,容值更稳定,瞬态响应好;由于是固态,抗冲击振动能力比湿式的要好;可以做出较小的SMD封装。当然,湿式的铝电解电容也可以做SMD封装。华科安规电容原装现货。盐田区电解电容麦克风

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    它是一个多层叠合的结构,由多个简单平行板电容器的并联体。独石电容的特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定。耐高温耐湿性好等。大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了。就温漂而言:独石电容为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.就价格而言:钽、铌电容贵,独石,CBB较便宜,瓷片电容低。但是有些高频零温漂黑点瓷片稍贵,云母电容Q值较高,也比较贵。电容器的标称参数主要参数:标称容量以及允许偏差。目前我国采用的固定式标称容量系列是:E24,E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5%+-10%+-20%。标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下);纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中;通常电解电容器的容量较大。电容的标称值分为E24、E12、E6三个系列:E6系列为常用的,E12系列次之,E24系列又次之。E24系列的取值为、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、乘以10的n次方;E12系列的取值为、、、、、、、、、、、;E6系列的取值为、、、、、。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。宝安区电容器组

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